Control de energía
|
|
---|---|
Consumo de energía (lectura)
|
7 W
|
Consumo de energía (escritura)
|
5.7 W
|
Condiciones ambientales
|
|
Temperatura mínima de operación
|
5 °C
|
Vibración no operativa
|
20 G
|
Altura máxima de operación
|
3050 m
|
Intervalo de temperatura operativa
|
0 - 70 °C
|
Intervalo de temperatura de almacenaje
|
-40 - 85 °C
|
Golpes en funcionamiento
|
1500 G
|
Máxima temperatura
|
95 °C
|
Características
|
|
Encriptación de hardware
|
Si
|
Lectura aleatoria (4KB)
|
520000 IOPS
|
Hot-swap
|
Si
|
Componente para
|
servidor/estación de trabajo
|
Certificación
|
CE (Europe): EN55032, EN55024 Class B, RoHS
FCC: CFR Title 47, Part 15, Class B
UL/cUL: approval to UL-60950-1, 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 (2nd Edition); EN 60950-1 (2006) + A11:2009+ A1:2010 + A12:2011 + A2:2013
BSMI (Taiwan): approval to CNS 13438, Class B, CNS 15663
RCM (Australia, New Zealand): AS/NZS CISPR32 Class B
KC RRL (Korea): approval to KN32 Class B, KN 35 Class B
W.E.E.E.: Compliance with EU WEEE directive 2012/19/EC.
TUV (Germany): approval to IEC60950/EN60950
VCCI (Japan): 2015-04 Class B
IC (Canada): ICES-003 Class B
Morocco: EN55032, EN55024 Class B
UkrSEPRO (Ukraine): EN55032 Class B, IEC60950/EN60950, RoHS (Resolution 2017 No. 139)
UKCA (UK): SI 2016/1091 Class B and SI 2012/3032 RoHS
|
Velocidad de escritura
|
1400 MB/s
|
Tiempo medio entre fallos
|
2000000 h
|
Compatible con NVM Express (NVMe)
|
Si
|
Latencia (de escritura)
|
15 µs
|
Soporte S.M.A.R.T.
|
Si
|
Escritura aleatoria (4KB)
|
82000 IOPS
|
Tipo de memoria
|
3D TLC NAND
|
Factor de forma
|
M.2
|
Interfaz
|
PCI Express 4.0
|
Velocidad de lectura
|
6300 MB/s
|
Latencia (de lectura)
|
80 µs
|
ECC
|
Si
|
Capacidad
|
960GB
|
Tamaño de la unidad SSD M.2
|
2280 (22 x 80 mm)
|